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에칭 처리된 열전도성 다이아몬드 JCB-40 (30~540μm)
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다이아몬드 에칭의 주요 목적은 표면 형태를 변화시키고 비표면적을 증가시켜 다이아몬드와 금속 기판 사이의 계면 접촉 면적을 확대하는 데 있습니다. 이는 계면에서의 열 전달을 촉진하고 계면의 열 저항을 감소시켜 다이아몬드 복합 재료의 전반적인 열전도율을 향상시킵니다.

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다이아몬드 에칭의 주요 목적은 표면 형태를 변화시키고 비표면적을 증가시켜 다이아몬드와 금속 매트릭스 재료 간의 계면 접촉 면적을 개선하는 데 있습니다. 이는 계면에서의 열전달을 촉진하고 계면의 열저항을 감소시켜 다이아몬드 복합재의 전반적인 열전도율을 향상시킵니다.

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